台积电否认进军立体存储重申聚焦逻辑代工

一、台积电划清业务边界

2026年11月13日，台积电（TSMC）公开回应市场传闻，否认公司计划进军3DDRAM（立体动态随机存取存储器）制造，并重申聚焦逻辑芯片代工主业。台积电表示：“我们的使命始终是成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能提供者。”此前，《TheInformation》曾报道，英伟达（NVIDIA）请台积电探索3DDRAM相关技术，引发外界对台积电是否跨界存储制造的猜测。台积电此次表态，等于为这场传闻画上了句号，也再次划清了自身业务的边界：逻辑代工才是台积电的立身之本，存储制造不在其规划之内。

二、存储相关技术合作仍在推进

值得注意的是，否认进军3DDRAM制造，并不意味着台积电与存储技术毫无关联。在嵌入式DRAM领域，台积电已提供65纳米与40纳米工艺的相关方案；在高带宽内存（HBM）领域，HBM4E的基础裸片将越来越多地采用台积电的先进工艺，SK海力士与美光据报将采用台积电代工的基础裸片。另据《首尔经济日报》报道，英伟达要求三星电子、SK海力士和美光为其NVHBM产品采用台积电3纳米工艺生产基础裸片。此外，台积电的晶圆对晶圆键合技术已用于高通（Qualcomm）的HBC高带宽计算技术，首批芯片已于11月初完成验证，将用于高通DragonflyAI250加速器，计划2027年上半年送样。在先进封装环节，台积电同样深度参与存储与算力的结合，其晶圆对晶圆键合等技术正在成为高带宽计算方案的关键一环。

三、代工巨头选择为客户提供产能

从台积电的表态可以看出，这家代工巨头有意守住与客户之间的分工边界：存储厂商做存储，台积电提供先进制程与封装能力，而不是亲自下场与客户竞争。这种定位既能避免与三星电子、SK海力士和美光等大客户形成直接冲突，也能让台积电在人工智能硬件的热潮中继续赚取工艺与封装环节的价值。对英伟达而言，台积电的拒绝未必是坏消息，只要台积电继续为存储厂商提供基础裸片代工，英伟达想要的3DDRAM产能仍有可能通过另一条路径实现。

信源跟踪： T | 数据时间： 北京时间 2026年11月13日