台积电拟应英伟达要求进军3D DRAM存储

一、台积电起草三维存储生产计划

据 The Information 11月6日报道，台积电（TSMC）已经开始起草生产三维动态随机存取存储器（3DDRAM）的计划，这一动向直接回应其最大客户英伟达（NVIDIA）提出的要求。路透社同日援引上述报道称，台积电与英伟达方面均未立即回应置评请求，相关方案仍处于起草与评估阶段。报道披露的推进方式包括新建工厂或者收购并改造现有工厂，项目由负责先进封装业务的副总裁Hsu Kuo-chin牵头负责。这一计划出现的背景，是人工智能需求持续攀升导致存储芯片出现严重短缺，价格随之上涨，头部算力厂商正在寻找更加稳定的存储供应来源。

二、存储短缺倒逼代工龙头跨界布局

从产业分工看，台积电长期以逻辑芯片代工见长，存储芯片并非其传统主业，此次若真正进入三维动态随机存取存储器领域，意味着代工龙头的业务边界将向存储方向延伸。报道提到的新建工厂与收购改造现有工厂两种路径，分别对应不同的投入节奏与风险：新建工厂周期更长但产线可以按新工艺从头规划，收购改造则可以更快利用现有厂房与配套设施，但需要解决工艺适配与设备改造问题。由负责先进封装的副总裁牵头，也显示出台积电可能把三维存储与先进封装能力结合起来考虑，因为高带宽内存等产品本来就高度依赖先进封装技术。值得注意的是，英伟达在今年10月还曾要求三星电子（SamsungElectronics）、SK海力士（SKHynix）与美光（Micron）使用台积电3纳米工艺生产其定制高带宽内存的基础裸片，这说明英伟达正在把更多存储相关环节与台积电的先进制程绑定，台积电此次的计划与这一思路一脉相承。

三、三维存储竞争格局或将生变

如果台积电最终推进三维动态随机存取存储器生产，将直接与三星电子、SK海力士和美光等传统存储厂商形成竞争，存储市场长期由这几家厂商主导的格局可能出现新的变量。对英伟达而言，更多供应商参与三维存储，有助于缓解人工智能算力扩张中存储供应紧张的问题，也有助于在价格谈判与产能分配上获得更大空间。对存储厂商而言，台积电的入场既是竞争压力，也可能推动行业在三维堆叠、先进封装与高带宽内存等方向加快技术迭代。短期内计划仍处于起草阶段，是否新建工厂、是否收购改造、最终产能规模与投产时间都还没有定论，市场仍需等待台积电与英伟达方面的进一步表态。不过，仅是这一计划的出现，就已经表明人工智能带来的存储短缺正在改写芯片产业的分工，逻辑代工与存储制造之间的界限正在变得模糊。

信源跟踪： 路透社、The Info | 数据时间： 北京时间 2026年11月6日