台积电否认应英伟达要求进军存储市场

一、台积电回应传闻与核心表态

新进展是台积电（TSMC）11月7日的否认回应。台积电当天回应美国科技媒体Tom’s Hardware，实质否认了有关其进军3DDRAM存储市场的传闻。就在一天前，美国媒体TheInformation援引两名知情人士报道称，台积电应最大客户英伟达（NVIDIA）的要求，已开始筹划生产新一代堆叠式存储芯片3DDRAM。对此，台积电发言人表示，公司始终专注于核心业务，即专业集成电路代工服务，致力于成为逻辑芯片产业值得信赖的技术与产能提供者。Tom’sHardware将这一表态解读为对传闻的实质否认。需要说明的是，台积电的回应并未逐字否认是否进行过内部讨论，也没有回应英伟达是否提出过相关要求，英伟达方面则未作评论，因此传闻的源头仍停留在匿名信源层面。

二、3D DRAM技术方向与竞争格局

3DDRAM是存储行业正在探索的下一代技术方向，通过将存储单元立体堆叠来提升密度与带宽，被视为缓解人工智能硬件存储瓶颈的潜在方案之一。目前，韩国三星（Samsung）、韩国SK海力士（SKhynix）与美国美光（Micron）都在研发各自的3D DRAM方案，公开路线图显示相关产品商用时间大约在2030年，距离量产仍有数年时间。TheInformation的报道称，台积电内部的相关筹划由负责先进封装的副总裁许国晋牵头，他此前曾执掌美光在台湾地区的业务。不过，Tom’sHardware同时指出，台积电缺乏量产动态随机存取存储器的工艺积累，若没有具备竞争力的平面DRAM制程作为基础，独立开发3DDRAM几乎难以实现，这也是外界对传闻存疑的重要原因。另一方面，人工智能硬件需求激增正在推高高带宽存储器的价格与供应紧张程度，英伟达为保障图形处理器配套存储供应，正在推动定制化高带宽存储器方案，并与三星、台积电合作开发基于3纳米工艺的基础芯片，这类合作与直接生产3DDRAM是两回事。

三、业务边界与市场反应

台积电的迅速回应划清了一条业务边界：代工逻辑芯片是主业，存储芯片不是。这一表态短期内打消了市场对台积电跨界抢食存储蛋糕的猜测，也让三星、SK海力士与美光的竞争格局暂时保持不变。对英伟达而言，真正的挑战仍在存储供应本身，无论最终由谁来生产下一代存储，产能与良率爬坡都需要时间，2030年左右的商用节点不会因为一则传闻而提前。值得留意的是，传闻出现当天台积电美国存托凭证一度上涨约6%，显示市场对人工智能存储故事的热情极高，而公司的否认恰恰提醒投资者，热情与订单之间还隔着技术、产能与商业决策的多重门槛。

信源跟踪： Tom’s Ha | 数据时间： 北京时间2026年11月7日