三星启动凯罗斯计划新建二纳米四纳米晶圆厂

一、凯罗斯计划与器兴园区改造

三星电子（SamsungElectronics）启动代号凯罗斯的重大改组计划，把韩国历史最悠久的芯片园区之一器兴园区改造成面向人工智能时代的代工中心。首尔经济日报11月4日报道，三星已成立凯罗斯专项工作组，计划在器兴园区新建二纳米与四纳米代工生产线，厂址位于原先进研究院与工程学院旧址，相关建筑已经拆除。三星工程建设公司负责这座新厂的工程、采购与施工，厂区将参照平泽工厂的模式分四个阶段建设，配套主厂房、绿色基础设施与专用变电站。三星目前在华城与平泽生产高带宽内存的核心芯片，器兴新厂的重点是补足高带宽内存的基础芯片与先进封装产能。行业预计，三星高带宽内存供应量到2028年将以年均52%的速度增长，新建产能正是为了接住这波需求。三星方面尚未公布新厂的具体投产时间，但专项工作组的成立意味着项目已进入实质推进阶段。

二、二纳米四纳米产线的技术分工

器兴新厂的两条产线各有分工：四纳米产线服务于当前的高带宽内存产品，二纳米产线瞄准下一代产品。三星当前量产的高带宽内存HBM4与正在送样的HBM4E均采用四纳米工艺生产基础芯片，HBM4E计划明年量产，而下一代高带宽内存HBM5的基础芯片很可能采用二纳米工艺。基础芯片位于高带宽内存堆叠结构的最底层，负责逻辑控制与信号传输，其工艺水平直接决定整颗内存的带宽与能效。器兴新厂还计划把六号生产线的一部分改造成先进封装设施，形成基础芯片生产与封装一体化的布局。投资规模方面，业内估计凯罗斯项目总投资约25万亿韩元，约合180亿美元，也有估计认为可能达到25万亿至30万亿韩元。这一投入与三星今年早些时候在高带宽内存领域的进展相呼应：三星已成为超威半导体（AMD）InstinctMI455X加速器的高带宽内存HBM4优先供应商，该合作于今年3月公布。器兴新厂投产后，三星高带宽内存核心芯片与基础芯片的产能有望更好地匹配，减少对外采购与跨厂调度的环节。

三、产业生态与行业影响

三星把最老的器兴园区改造成最先进的代工中心，传递出一个清晰信号：高带宽内存的竞争已经从单颗产品性能延伸到基础芯片与封装的整体产能布局。过去高带宽内存的核心芯片与基础芯片产能常常脱节，器兴新厂把四纳米与二纳米产线、先进封装放在同一园区，有助于缩短生产周期、提升良率管理效率。对SK海力士（SKHynix）与美光（Micron）而言，三星的扩产意味着高带宽内存市场的争夺将更加激烈，尤其是在HBM4向HBM5过渡的关键窗口期，谁先把二纳米基础芯片量产，谁就能在下一代产品上占得先机。不过，新厂从建设到量产仍需数年时间，短期内三星高带宽内存的供应仍依赖华城与平泽的现有产能。从更广的视角看，韩国两大存储厂商同时扩产，配合台积电与英特尔的先进制程投资，全球人工智能硬件的供应链正在进入新一轮产能竞赛，产能落地的速度将直接决定各家在人工智能基础设施订单中的份额。

信源跟踪： 首尔经济日报 | 数据时间： 北京时间 2026年11月4日