日本拉皮达斯二纳米量产受阻折射赶超困局

📊 本文共 3,652 字 ☕ 预计按 500 字/分钟速度阅读，需要 8 分钟 一、夏末节点落空：可用存储单元仍未验证 北京时间2026年11月10日晚，彭博社（Bloomberg）援引知情人士报道，日本（Japan）政府支持的芯片制造商拉皮达斯公司（RapidusCorporation）尚未验证可用的2纳米静态随机存取存储器（Static Random AccessMemory，SRAM）单元，研发进度至少落后原计划数月，2028年3月量产目标面临风险。集邦咨询（TrendForce）同日转发了这则报道，指出可用SRAM单元本应在2026年夏季之前完成验证。...